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产品用途
主要用于制备GaAs等化合物半导体材料及硅、锗单晶掺杂剂，也用于制备As2Se3(红外线透射玻璃、激光印刷机等)、As2S3(红外线透射玻璃)等。
153-7872-5358
主要用于制备GaAs等化合物半导体材料及硅、锗单晶掺杂剂，也用于制备As2Se3(红外线透射玻璃、激光印刷机等)、As2S3(红外线透射玻璃)等。
| 规格 | 砷（As）纯度 | As-06 | As-07 | As-07(重摻用砷) |
| 100.00% | 100.00% | 100.00% | ||
| 杂质含量 | B | — | ＜1 | ＜1 |
| Na | ＜100 | ＜20 | ＜20 | |
| Mg | ＜50 | ＜5 | ＜5 | |
| Al | ＜50 | ＜4 | ＜4 | |
| Si | ＜50 | ＜10 | ＜10 | |
| S | ＜25 | ＜10 | ＜10 | |
| K | ＜40 | ＜10 | ＜10 | |
| Ca | ＜80 | ＜10 | ＜10 | |
| Cr | ＜40 | ＜5 | ＜5 | |
| Fe | ＜40 | ＜5 | ＜5 | |
| Ni | ＜8 | ＜5 | ＜5 | |
| Cu | ＜8 | ＜5 | ＜5 | |
| Zn | ＜80 | ＜10 | ＜10 | |
| Se | ＜100 | ＜30 | ＜30 | |
| Ag | ＜10 | ＜10 | ＜10 | |
| Sb | ＜200 | ＜20 | ＜20 | |
| Pb | ＜8 | ＜5 | ＜5 | |
| Bi | ＜80 | ＜10 | ＜10 | |
| 总量 | ≤1000 | ≤100 | ≤100 |
产品纯度高，除杂能力强，纯度通过美国EAG检测，可达5N-7N（99.9999%)，掌握砷化镓晶体生长关键杂质控制技术，产品一致性和稳定性更好。
三废排放较传统工艺低80%，环保处理压力和成本更小，各类废弃物均做到达标排放，对环境更友好。
采用金属材料作为高纯砷提纯设备材料，替代石英设备，开发出大型蒸馏炉、合成炉、转化炉等设备，打破设备瓶颈，大幅降低设备投入成本和运营成本。
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